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| 多功能半导体晶片键合装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨国华; 何国荣; 石岩; 宋国峰; 郑婉华; 陈良惠 Adobe PDF(727Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1465/205  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙 Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1152/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈海波; 李兆峰; 陈建军; 杨富华; 封松林; 郑厚植 Adobe PDF(606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1202/168  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1223/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1273/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1209/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(1043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1079/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于微分负阻器件与CMOS电路的纳米流水线乘法器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 王良臣; 杨富华 Adobe PDF(762Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:932/129  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁控溅射仪衬底固定夹具 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王鹏; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏 Adobe PDF(452Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1077/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩伟华; 张扬; 刘剑; 杨富华 Adobe PDF(871Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1106/159  |  提交时间:2009/06/11 |