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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期
2006 [21]
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发表日期:2006
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一种新型键合用晶向对准装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈良惠
;
郑婉华
;
杨国华
;
何国荣
;
王玉平
;
曹青
;
郭良
;
林学春
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浏览/下载:1532/184
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提交时间:2009/06/11
一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈良惠
;
郑婉华
;
杨国华
;
何国荣
;
王玉平
;
曹青
;
郭良
;
林学春
Adobe PDF(425Kb)
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浏览/下载:1290/182
  |  
提交时间:2009/06/11
聚光太阳电池的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈诺夫
;
白一鸣
;
王晓晖
;
梁平
;
陆大成
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浏览/下载:1469/201
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提交时间:2009/06/11
共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄应龙
;
杨富华
;
王良臣
;
王建林
;
伊小燕
;
马龙
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浏览/下载:1161/166
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提交时间:2009/06/11
对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄应龙
;
杨富华
;
王良臣
;
姜磊
;
白云霞
;
王莉
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浏览/下载:1430/204
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提交时间:2009/06/11
背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
马龙
;
王良臣
;
王立彬
;
郭金霞
;
伊晓燕
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li DY (Li Deyao)
;
Zhang SM (Zhang Shuming)
;
Wang JF (Wang Jianfeng)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Chen LH (Chen Lianghui)
;
Chong M (Chong Ming)
;
Zhu JJ (Zhu Jianjun)
;
Zhao DG (Zhao Degang)
;
Liu ZS (Liu Zongshun)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Liang JW (Liang Junwu)
;
Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JQ (Liu Jun-Qi)
;
Liu FQ (Liu Feng-Qi)
;
Ye S (Ye Shao)
;
Lu L (Lu Li)
;
Yu G (Yu Guo)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Wang LC (Wang Liang-Chen)
;
Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: fqliu@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang JF (Wang J. F.)
;
Yao DZ (Yao D. Z.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
;
Wang, JF, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. E-mail: wlino@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1108/351
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma L (Ma Long)
;
Huang YL (Huang Ying-Long)
;
Zhang Y (Zhang Yang)
;
Yang FH (Yang Fu-Hua)
;
Wang LC (Wang Liang-Chen)
;
Ma, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: malong@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11