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| 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 封松林; 杨富华; 王晓东; 汪辉; 李树英; 苗振华; 李树深
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作者: Sun YP; Fu Y; Qu B; Wang YT; Feng ZH; Shen XM; Zhao DG ; Zheng XH; Duan LH; Li BC; Zhang SM; Yang H; Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: ypsun@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Pan QW; Fang CS; Li F; Zhang ZY; Qin ZH; Wu XW; Gu QT; Yu JZ; Pan QW,Shandong Univ,State Key Lab Inst Crystal Mat,Jinan 250100,Peoples R China.
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作者: 冯志宏; 杨辉; 徐大鹏; 赵德刚; 王海; 段俐宏
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作者: 秦志辉; 房昌水; 潘奇伟; 程秀凤; 李峰; 顾庆天; 余金中
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作者: 澜清; 周大勇; 孔云川; 边历峰; 苗振华; 牛智川; 封松林
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