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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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共81条,第1-10条
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发表日期:2003
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen J
;
Zhang SM
;
Zhang BS
;
Zhu JJ
;
Feng G
;
Duan LH
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zheng WC
;
Chen J,Sichuan Univ,Dept Mat Sci,Chengdu 610064,Peoples R China.
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浏览/下载:1574/630
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Duan RF
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Zeng Y
;
Duan RF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Dept,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1165/354
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fang ZD
;
Gong Z
;
Miao ZH
;
Xu XH
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Fang ZD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:899/298
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong ZY
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Dong ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
MOCVD growth of high quality crack-free GaN on Si(III) substrates
会议论文
PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM, KOWLOON, PEOPLES R CHINA, SEP 12-14, 2003
作者:
Zhang BS
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zhang BS Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1417/302
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提交时间:2010/10/29
Vapor-phase Epitaxy
Layers
Aln
Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, 798, Boston, MA, DEC 01-05, 2003
作者:
Xu ZY
;
Luo XD
;
Yang XD
;
Tan PH
;
Yang CL
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
;
Xu ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Alloys
Gaas1-xnx
Photoluminescence
Relaxation
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Ion-scattering Spectroscopy
Lattice Polarity
Single-crystals
Films
Polarization
Gan(0001)
Surfaces
Growth
Diodes
Microstructure of the silicon film prepared near the phase transition regime from amorphous to nanocrystalline
会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:
Zhang SB
;
Liao XB
;
Xu YY
;
Hu ZH
;
Zeng XB
;
Diao HW
;
Luo MC
;
Kong G
;
Zhang SB Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Condensed State Phys State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1711/428
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提交时间:2010/10/29
Polymorphous Silicon
Light-scattering
Thin-films
Si
Microcrystallinity
Absorption
States
Fabrication of semiconductor optical amplifiers and a novel gain measuring technique
会议论文
PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM, KOWLOON, PEOPLES R CHINA, SEP 12-14, 2003
作者:
Huang YZ
;
Guo WH
;
Yu LJ
;
Lu XL
;
Tan MQ
;
Ma XY
;
Huang YZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1228/276
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提交时间:2010/10/29
Spectra
Lasers
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Zhang ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1364/254
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提交时间:2010/11/15
Czochralski Method
Growth From Melt
Semiconductor Silicon
Argon Gas Flow
Computer Simulation
Oxygen Content
Furnace Pressure