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| 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张南红; 王晓亮; 曾一平; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 李晋闽 Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1463/213  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1148/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1310/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1069/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 樊中朝; 余金中; 陈少武; 王章涛; 陈媛媛; 李艳萍 Adobe PDF(634Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1279/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李传波; 毛容伟; 左玉华; 成步文; 余金中; 王启明 Adobe PDF(355Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1221/183  |  提交时间:2009/06/11 |
| 电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作工艺 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 路秀真; 常秀兰; 李成明; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(286Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1310/169  |  提交时间:2009/06/11 |
| 电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-07-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陆秀真; 常秀兰; 李成明; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1357/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 毛容伟; 滕学公; 李传波; 左玉华; 罗丽萍; 成步文; 于金中; 王启明 Adobe PDF(641Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1500/202  |  提交时间:2009/06/11 |
| 与CMOS工艺兼容的硅光电探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-04-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 毛陆虹; 李伟; 陈弘达; 高鹏; 孙增辉; 陈永权 Adobe PDF(468Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1219/164  |  提交时间:2009/06/11 |