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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
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用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李宝霞;  张靖;  杨华;  王圩
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, J (Liu, J.);  Li, L (Li, L.);  Liu, S (Liu, S.);  Liu, M (Liu, Min);  Wang, YG (Wang, Y.-G.);  Liu, J, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ran JX (Ran Junxue);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Hu GX (Hu Guoxin);  Li JP (Li Jianping);  Wang BZ (Wang Baozhu);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang JX (Wang Junxi);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Z (Liu Zhe);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Wang JX (Wang Junxi);  Hu GX (Hu Guoxin);  Guo LC (Guo Lunchun);  Li JP (Li Jianping);  Li JM (Li Jinmin);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang CB (Fang Cebao);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Hu GX (Hu Guoxin);  Wang CM (Wang Cuimei);  Wang XY (Wang Xiaoyan);  Li JP (Li Jianping);  Wang JX (Wang Junxi);  Li CJ (Li Chengji);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang Zanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Wang CM (Wang Cuimei);  Hu GX (Hu Guoxin);  Mao HL (Mao Hongling);  Fang CB (Fang Cebao);  Wang JX (Wang Junxi);  Ran JX (Ran Junxue);  Li HP (Li Hanping);  Li JM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang, Zhanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan FW (Yan Fawang);  Gao HY (Gao Haiyong);  Zhang HX (Zhang Huixiao);  Wang GH (Wang Guohong);  Yang FH (Yang Fuhua);  Yan JC (Yan Jianchang);  Wang JX (Wang Junxi);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li, Jinmin);  Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fwyan@red.semi.ac.cn
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