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| 一种高温碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李晋闽; 孙国胜; 朱世荣; 曾一平; 孙殿照; 王雷
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| 一种氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陆大成; 刘祥林; 袁海荣; 王晓晖
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| 模糊逻辑处理高速高精度“分步式”模数转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王萍; 石寅
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| 一种制备半导体衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨沁清; 李成; 欧海燕; 王红杰; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen Y; Li GH; Zhu ZM; Han HX; Wang ZP; Zhou W; Wang ZG; Chen Y,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁恩主; 郑婉华; 冯军; 李远境; 李卉; 王志功; 陈良惠
Adobe PDF(116Kb) | 收藏 | 浏览/下载：927/323 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李成; 杨沁青; 王红杰; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韩伟华; 余金中; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘宝利; 王炳？; 徐仲英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郑新和; 渠波; 王玉田; 杨辉; 梁骏吾
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