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制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  张恒;  魏鸿源;  杨少延;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  刘祥林;  王占国
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ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-26
发明人:  谢辉;  赵有文
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半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  项若飞;  汪连山;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  张恒;  冯玉霞;  焦春美;  魏鸿源;  杨少延;  王占国
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大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  李辉杰;  杨少延;  魏鸿源;  赵桂娟;  汪连山;  李成明;  刘祥林;  王占国
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AlN单晶衬底生产设备及其使用方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  李辉杰;  杨少延;  魏鸿源;  赵桂娟;  汪连山;  李成明;  刘祥林;  王占国
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一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  孔苏苏;  李辉杰;  冯玉霞;  赵桂娟;  魏鸿源;  杨少延;  王占国
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