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| 带输出波导的正方形微腔激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵伟; 黄永箴
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| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉 ; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平
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| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉
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| 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵超; 徐波; 陈涌海; 金鹏; 王占国
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| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平
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| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉
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| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉
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| 碳化硅材料的异质外延生长技术和射频MEMS器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 赵永梅
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 占荣; 赵有文; 于会永; 高永亮; 惠峰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱蓉辉; 曾一平; 卜俊鹏; 惠峰; 郑红军; 赵冀; 高永亮
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