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| 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗 ; 杨霏; 柴春林
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| 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵建华; 邓加军; 毕京峰; 牛智川; 杨富华; 吴晓光; 郑厚植
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| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏
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| 一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 曾宇昕; 杨富华; 徐萍; 刘伟
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| 近场光学固体浸墨透镜型微小孔径激光器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 甘巧强; 宋国峰; 石岩; 杨国华; 钟源; 高建霞; 陈良惠
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| 高能电子衍射图像处理系统及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙永伟; 侯识华; 宋国峰; 杨晓杰; 叶晓军
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| 在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨霏; 陈诺夫
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| 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵建华; 蒋春萍; 郑厚植; 邓加军; 杨富华; 牛智川
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| 半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 曾宇昕; 王水凤; 杨富华; 曾庆城
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| 一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郑厚植; 李桂荣; 杨富华
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