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| 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵建华; 邓加军; 毕京峰; 牛智川; 杨富华; 吴晓光; 郑厚植 Adobe PDF(336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1263/141  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1321/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵建华; 蒋春萍; 郑厚植; 邓加军; 杨富华; 牛智川 Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1145/184  |  提交时间:2009/06/11 |
| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙 Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1102/166  |  提交时间:2009/06/11 |
| 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 姜磊; 白云霞; 王莉 Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1353/204  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制备稀磁半导体Ga 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈晨龙; 陈诺夫; 吴金良 Adobe PDF(240Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1030/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 陈晨龙 Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1053/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈晨龙; 陈诺夫; 吴金良 Adobe PDF(328Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:871/129  |  提交时间:2009/06/11 |