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一种氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  王晓晖
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长波长（1.3-1.55μm）自组织InGaAs/GaAs量子点的分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001
作者:  王晓东
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓薇;  肖建伟;  王仲明;  马骁宇;  刘宗顺;  方高瞻;  张敬明;  冯小明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩培德;  段晓峰;  孙家龙;  张泽;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡国新;  孙殿照;  王晓亮;  刘宏新;  刘成海;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马慧莲;  江晓清;  杨建义;  王明华;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓晖;  刘祥林;  陆大成;  袁海荣;  韩培德;  汪度
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邓晖;  陈弘达;  梁琨;  杜云;  唐君;  黄永箴;  潘钟;  马骁宇;  吴荣汉;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  雷红兵;  王红杰;  邓晓清;  杨沁清;  胡雄伟;  王启明;  廖左升;  杨基南
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邓晖;  陈弘达;  梁琨;  杜云;  唐君;  黄永箴;  潘钟;  马晓宇;  吴荣汉;  王启明
Adobe PDF(222Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：988/326  |  提交时间：2010/11/23