SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜(英文)
雷红兵; 王红杰; 邓晓清; 杨沁清; 胡雄伟; 王启明; 廖左升; 杨基南
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:5Pages:543
Abstract开展了使用TEOS和H_2O混合物进行PECVD生长SiO_2膜的研究工作。氧化硅折射率分布在1.453±0.001的范围,且随偏离中心距离基本不变。薄膜厚度是中央大,边沿薄,其厚度相对变化不超过±1.5%(51mm衬底)。利用TEOS源PECVD,并结合退火技术,摸索出厚膜氧化硅生长工艺,已成功地在硅衬底上生长出厚度超过15μm氧化硅厚膜,可用于制备氧化硅平面波导器件。
metadata_83中科院半导体所;电子部第48所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,国家973计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532974
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18695
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
雷红兵,王红杰,邓晓清,等. 采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜(英文)[J]. 半导体学报,2001,22(5):543.
APA 雷红兵.,王红杰.,邓晓清.,杨沁清.,胡雄伟.,...&杨基南.(2001).采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜(英文).半导体学报,22(5),543.
MLA 雷红兵,et al."采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜(英文)".半导体学报 22.5(2001):543.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
5395.pdf(324KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[雷红兵]'s Articles
[王红杰]'s Articles
[邓晓清]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[雷红兵]'s Articles
[王红杰]'s Articles
[邓晓清]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[雷红兵]'s Articles
[王红杰]'s Articles
[邓晓清]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.