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宽带偏振复用相干薄膜铌酸锂集成调制器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2024
作者:  杨一诺
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang, Jin-Wu;  Yang, Nuo;  Wang, Bing-Shen;  Rabczuk, Timon
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄添懋;  陈诺夫;  张兴旺;  白一鸣;  尹志岗;  施辉伟;  张汉;  汪宇;  王彦硕;  杨晓丽
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磁控溅射仪衬底固定夹具 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王鹏;  陈诺夫;  尹志岗;  杨霏
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在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘力锋;  陈诺夫;  尹志岗;  杨霏;  柴春林
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用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  尹志冈;  杨霏
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在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨霏;  陈诺夫
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一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李艳丽;  陈诺夫;  刘立峰;  尹志刚;  杨菲;  柴春林
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