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Mechanical properties of individual InAs nanowires studied by tensile tests 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 104, 期号: 10, 页码: 103110
Authors:  Li, X;  Wei, XL;  Xu, TT;  Ning, ZY;  Shu, JP;  Wang, XY;  Pan, D;  Zhao, JH;  Yang, T;  Chen, Q
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Thermal analysis of GaN laser diodes in a package structure 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 084209
Authors:  Feng MX (Feng Mei-Xin);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Liu JP (Liu Jian-Ping);  Wang H (Wang Hui);  Zeng C (Zeng Chang);  Li ZC (Li Zeng-Cheng);  Wang HB (Wang Huai-Bing);  Wang F (Wang Feng);  Yang H (Yang Hui)
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大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  杨少延;  刘志凯;  柴春林
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磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究 期刊论文
真空科学与技术学报, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 154-156
Authors:  刘志凯;  周剑平;  柴春林;  杨少延;  宋书林;  李艳丽;  陈诺夫
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低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 258-261
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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离子束外延制备GaAs:Gd薄膜 期刊论文
功能材料, 2004, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 336-337
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1658-1661
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 972-975
Authors:  李艳丽;  陈诺夫;  周剑平;  宋书林;  杨少延;  刘志凯
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Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究 期刊论文
物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473
Authors:  周剑平;  陈诺夫;  宋书林;  柴春林;  杨少延;  刘志凯;  林兰英
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离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究 期刊论文
真空科学与技术学报, 2003, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 350-352
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  柴春林;  杨少延;  刘志凯
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