SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 尹志岗; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
2004
Source Publication半导体学报
Volume25Issue:12Pages:1658-1661
Abstract对室温条件下用低能离子束沉积得到的GaAs∶Gd样品,借助X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,结果表明没有出现新的衍射峰,并且摇摆曲线的形状与Gd的注入计量密切相关.运用X光电子能谱仪对比分析了Gd注入后,衬底中主要元素Ga2p和As3d的化学位移,以及不同计量的样品中注入的Gd4d芯能级束缚能的变化,并分析了铁磁性产生的可能原因.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家重大基础研究计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1774514
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17315
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
宋书林,陈诺夫,周剑平,等. 低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究[J]. 半导体学报,2004,25(12):1658-1661.
APA 宋书林.,陈诺夫.,周剑平.,尹志岗.,李艳丽.,...&刘志凯.(2004).低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究.半导体学报,25(12),1658-1661.
MLA 宋书林,et al."低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究".半导体学报 25.12(2004):1658-1661.
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