SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究
宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 柴春林; 杨少延; 刘志凯
2003
Source Publication真空科学与技术学报
Volume23Issue:5Pages:350-352
Abstract利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ga、Mn、As样品,在不同的温度条件下进行退火后组分和元素分布的变化.结果表明退火有助于样品内部元素的均匀分布,温度为400 ℃会导致MnO2和Ga5.2Mn的结晶.
metadata_83中国科学院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家重大基础研究计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1494281
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17571
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
宋书林,陈诺夫,周剑平,等. 离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究[J]. 真空科学与技术学报,2003,23(5):350-352.
APA 宋书林,陈诺夫,周剑平,柴春林,杨少延,&刘志凯.(2003).离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究.真空科学与技术学报,23(5),350-352.
MLA 宋书林,et al."离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究".真空科学与技术学报 23.5(2003):350-352.
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