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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li YQ (Li Yueqiang); Wang XD (Wang Xiaodong); Xu XN (Xu Xiaona); Liu W (Liu Wen); Chen YL (Chen Yanling); Yang FH (Yang Fuhua); Tan PH (Tan Pingheng); Zeng YP (Zeng Yiping); Li, YQ, Chinese AcadSci, InstSemicond, Engn Res CtrSemicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xdwang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu Wen ; Li Yueqiang; Chen Jianjun; Chen Yanling; Wang Xiaodong; Yang Fuhua
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Du Rui; Dai Yang; Chen Yanling; Yang Fuhua
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| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华
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| 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘雯; 李越强; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华
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| 一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136492A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-27, 2012-09-07
发明人: 李越强; 王晓东; 徐晓娜; 刘雯; 陈燕玲; 杨富华
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