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2”直径的半绝缘磷化铟单晶 成果
1992
Accomplishers:  刘巽琅;  叶式中;  赵建群;  焦景华;  曹惠梅
Favorite  |  View/Download:705/0  |  Submit date:2010/04/13
磷化铟单晶  
一种去除熔体表面浮渣的技术 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1990-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  焦景华;  佘辉;  叶式中
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等电子杂质Sb对InP中缺陷的影响 期刊论文
半导体学报, 1990, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 253
Authors:  叶式中;  杨保华;  徐岭
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高压液封法生长热稳定不掺杂半绝缘GaAs 成果
1986
Accomplishers:  林兰英;  叶式中;  何宏家;  方兆强;  曹福年
Favorite  |  View/Download:654/0  |  Submit date:2010/04/13
半绝缘gaas  
可控电参数的低位错磷化铟单晶制备 成果
1985
Accomplishers:  叶式中;  刘巽琅;  刘思林;  孙同年;  焦景华
Favorite  |  View/Download:667/0  |  Submit date:2010/04/13
磷化铟