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N型GaN的持续光电导 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 371
Authors:  汪连山;  刘祥林;  岳国珍;  王晓晖;  汪度;  陆大成;  王占国
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掺硅氮化镓材料的MOVPE生长及其性质研究 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 534
Authors:  刘祥林;  汪连山;  陆大成;  汪度;  王晓晖;  林兰英
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GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 225
Authors:  孙小玲;  杨辉;  李国华;  郑联喜;  李建斌;  王玉田;  王占国
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MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究 期刊论文
中国科学. A辑,数学, 1999, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 444
Authors:  孙小玲;  杨辉;  王玉田;  李国华;  郑联喜;  李建斌;  徐大鹏;  王占国
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InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的可靠性 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 278
Authors:  杨国文;  徐俊英;  徐遵图;  张敬明;  陈良惠
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氮化镓缓冲层生长过程分析 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 529
Authors:  刘祥林;  汪连山;  陆大成;  王晓晖;  汪度;  林兰英
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ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 1109
Authors:  李玉鉴;  谭满清;  茅冬生;  陆建祖
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Monolithic Integration of MQW DFB Laser and EA Modulator in 1.55μm 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 412
Authors:  Yan XJ(颜学进);  Xu GY(许国阳);  Zhu HL(朱洪亮);  Zhou F(周帆);  Wang XJ(汪孝杰);  Zhang JY(张静媛);  Tian HL(田慧良);  Ma CH(马朝华);  Shu HY(舒惠云);  Bai YX(白云霞);  Bi KK(毕可奎);  Wu RH(吴荣汉);  Wang QM(王启明);  Wang W(王圩)
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Monolithic Integration of DFB Laser Diode and Electroabsorption Modulator by Selective Area Growth Technology 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 706, 期号: 0
Authors:  Xu GY(许国阳);  Wang W(王圩);  Yan XJ(颜学进);  Zhu HL(朱洪亮);  Zhou F(周帆);  Zhang JY(张静媛);  Wang XJ(汪孝杰)
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Multi-Wavelength InGaAsP Lasers Grown by LP-MOCVD Selective Area Growth 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 506
Authors:  Xu GY(许国阳);  Yan XJ(颜学进);  Zhu HL(朱洪亮);  Zhou F(周帆);  Duan LH(段俐宏);  Tian HL(田慧良);  Bai YX(白云霞);  Wang W(王圩)
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