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GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 225
Authors:  孙小玲;  杨辉;  李国华;  郑联喜;  李建斌;  王玉田;  王占国
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Strain Analysis of Cubic AlGaN/GaNGrownon GaAs(100) Substrate by MOVPE 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 921
Authors:  徐大鹏;  杨辉;  赵德刚;  郑联喜;  李建斌;  王玉田;  李顺峰;  吴荣汉
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MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究 期刊论文
中国科学. A辑,数学, 1999, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 444
Authors:  孙小玲;  杨辉;  王玉田;  李国华;  郑联喜;  李建斌;  徐大鹏;  王占国
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InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 265
Authors:  郑联喜;  胡雄伟;  韩勤
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立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 723, 期号: 0
Authors:  赵德刚;  杨辉;  徐大鹏;  李建斌;  王玉田;  郑联喜;  李顺峰;  王启明
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选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 76
Authors:  张益;  潘钟;  杜云;  陈志标;  郑联喜;  吴荣汉
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立方相GaN/GaAs(100)质量的X射线双晶衍射研究 期刊论文
中国科学. A辑,数学, 1998, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 1112
Authors:  徐大鹏;  王玉田;  杨辉;  郑联喜;  李建斌;  段俐宏;  吴荣汉
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优化生长的In_xGa_(1-x)As缓冲层上双势垒In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-z)As多量子阱应变状态测量 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 2, 页码: 85
Authors:  王小军;  郑联喜;  肖智博;  王玉田;  胡雄伟;  王启明
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超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异 期刊论文
物理学报, 1997, 卷号: 46, 期号: 9, 页码: 1808
Authors:  王小军;  金星;  张子平;  郑联喜;  肖智博;  胡雄伟;  王启明
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Two-dimensional quantum well wire semiconductor laser arrays 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 155
Authors:  Qian Y(钱毅);  Zhang JM(张敬明);  Xu ZT(徐遵图);  Chen LH(陈良惠);  Wang QM(王启明);  Zheng LX(郑联喜);  Hu XW(胡雄伟)
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