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半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 188
Authors:  许国阳;  颜学进;  朱洪亮;  段俐宏;  周帆;  田慧良;  白云霞;  王圩
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Monolithic Integration of MQW DFB Laser and EA Modulator in 1.55μm 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 412
Authors:  Yan XJ(颜学进);  Xu GY(许国阳);  Zhu HL(朱洪亮);  Zhou F(周帆);  Wang XJ(汪孝杰);  Zhang JY(张静媛);  Tian HL(田慧良);  Ma CH(马朝华);  Shu HY(舒惠云);  Bai YX(白云霞);  Bi KK(毕可奎);  Wu RH(吴荣汉);  Wang QM(王启明);  Wang W(王圩)
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Monolithic Integration of DFB Laser Diode and Electroabsorption Modulator by Selective Area Growth Technology 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 706, 期号: 0
Authors:  Xu GY(许国阳);  Wang W(王圩);  Yan XJ(颜学进);  Zhu HL(朱洪亮);  Zhou F(周帆);  Zhang JY(张静媛);  Wang XJ(汪孝杰)
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Multi-Wavelength InGaAsP Lasers Grown by LP-MOCVD Selective Area Growth 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 506
Authors:  Xu GY(许国阳);  Yan XJ(颜学进);  Zhu HL(朱洪亮);  Zhou F(周帆);  Duan LH(段俐宏);  Tian HL(田慧良);  Bai YX(白云霞);  Wang W(王圩)
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半导体量子阱激光器与电吸收调制器单片集成中的关键基础工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1997
Authors:  颜学进
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刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 836
Authors:  颜学进;  张权生;  石志文;  杜云;  祝亚芹;  罗丽萍;  朱家廉;  吴荣汉;  王启明
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InGaAsP/InP MQW电流控制型双稳/非线性增益开关激光器 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 813
Authors:  张权生;  石志文;  杜云;  颜学进;  赵军
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三端1.3μm InGaAsP/Inp双区共腔激光器 期刊论文
高技术通讯, 1996, 卷号: 6, 期号: 7, 页码: 27
Authors:  张权生;  石志文;  杜云;  赵军;  颜学进
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