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Space-grown SI-GaAs and its application 会议论文
2002 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTING & INSULATING MATERIALS, SMOLENICE, SLOVAKIA, JUN 30-JUL 05, 2002
作者:  Chen NF;  Zhong XG;  Zhang M;  Lin LY;  Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Semiinsulating Gallium-arsenide  Floating-zone Growth  Crystal-growth  Zero Gravity  Microgravity  Segregation  Stoichiometry  Silicon  Defects  Insb  
1.5 mu m DFB integrated with vertical tapered spotsize converter fabricated by selective MOVPE 会议论文
INTEGRATED OPTICS: DEVICES, MATERIALS, AND TECHNOLOGIES VI, 4640, SAN JOSE, CA, FEB 21-23, 2002
作者:  Qiu WB;  Dong J;  Zhang JY;  Zhou F;  Zhu HL;  Wang W;  Qiu WB Chinese Acad Sci Natl Res Ctr Optoelect Technol Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Spotsize Converter  Selective Area Growth  Butt-joint  Wave-guide  Lasers  
Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Cheng BW;  Zhang JG;  Zuo YH;  Mao RW;  Huang CJ;  Luo LP;  Yao F;  Wang QM;  Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Si-ge Alloys  Growth  Layers  
Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Tan LW;  Wang J;  Wang QY;  Yu YH;  Lin LY;  Tan LW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Epitaxial-growth  Al2o3  Si  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Yang SY;  Zhang FQ;  Li DB;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng BW;  Zhang JG;  Zuo YH;  Mao RW;  Huang CJ;  Luo LP;  Yao F;  Wang QM;  Cheng BW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liao MY;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Qin FG;  Wang ZG;  Liao MY,Kyoto Univ,Ion Beam Engn Expt Lab,Kyoto 6068501,Japan.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Z;  Lu DC;  Han P;  Liu XL;  Wang XH;  Li YF;  Yuan HR;  Lu Y;  Bing LD;  Zhu QS;  Wang ZG;  Wang XF;  Yan L;  Chen Z,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shen XM;  Fu Y;  Feng G;  Zhang BS;  Feng ZH;  Wang YT;  Yang H;  Shen XM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan LW;  Wang J;  Wang QY;  Yu YH;  Lin LY;  Tan LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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