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一种强磁场的霍尔效应测试装置及其测试方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张攀峰;  吴洁君;  胡卫国;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zuo R (Zuo Ran);  Zhang H (Zhang Hong);  Liu XL (Liu Xiang-lin);  Zuo, R, Jiangsu Univ, Sch Energy & Power Engn, Zhenjiang 212013, Jiangsu, Peoples R China. E-mail: rzuo@ujs.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YL;  Jin P;  Ye XL;  Zhang CL;  Shi GX;  Li RY;  Chen YH;  Wang ZG;  Wang, YL, Beijing Tongmei Xtal Technol Co Ltd, Dept Res & Dev, Beijing Tongzhou Ind Dev Zone, Beijing 101113, Peoples R China. E-mail: wangyli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu JJ;  Li JM;  Cong GW;  Wei HY;  Zhang PF;  Hu WG;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Jia QJ;  Gu LP;  Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jiejunw@red.semi.ac.cn
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Research on the band-gap of InN grown on siticon substrates 会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:  Xiao, HL;  Wang, XL;  Wang, JX;  Zhang, NH;  Liu, HX;  Zeng, YP;  Li, JM;  Xiao, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Wurtzite Inn  Nitride  Absorption  Alloys  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang CG;  Chen YH;  Ye XL;  Wang ZG;  Zhang WF;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
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