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| 长波长GaN基LED材料生长与性能研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 李文龙
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 李明
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| 氧化镓肖特基二极管模拟及材料表征分析 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 李志鹏
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 李耀斌
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| 高效有机太阳能电池制备及器件物理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 李其聪
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈燕; 邓爱红; 赵有文; 张英杰; 余鑫祥; 喻菁; 龙娟娟; 周宇璐; 张丽然
Adobe PDF(441Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1107/297 | 提交时间：2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡炜杰; 赵有文; 段满龙; 王应利; 王俊
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王彩凤; 李清山; 胡波; 梁德春
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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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