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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang H; Zhu HL; Jia LH; Chen XF; Kong DH; Wang LS; Zhang W; Zhao LJ; Wang W; Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whuan2l@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Kong DH; Zhu HL; Liang S ; Zhang HG; Sun Y; Wang H; Zhang W; Zhao LJ; Kong DH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: kdh@semi.ac.cn; Liangsong@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ding Y; Fan WJ; Xu DW; Tong CZ; Yoon SF; Zhang DH; Zhao LJ; Wang W; Liu Y; Zhu NH; Ding Y Nanyang Technol Univ Sch Elect & Elect Engn Singapore 639798 Singapore. E-mail Address: yding@ntu.edu.sg
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作者: Zhu HL (Zhu HongLiang); Liang S (Liang Song); Zhao LJ (Zhao LingJuan); Kong DH (Kong DuanHua); Zhu NH (Zhu NingHua); Wang W (Wang Wei); Zhu, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhuhl@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang H; Zhu HL; Chen XF; Kong DH; Wang LS; Zhang W; Liu Y; Zhao LJ; Wang W; Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whuan21@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen DB; Zhu HL; Liang S; Wang BJ; Zhang YL; Liu Y; Kong DH; Zhang W; Wang H; Wang LS; Sun Y; Zhang YX; Chen, DB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: boydchen@semi.ac.cn
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| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jiang C; Xu B; Li HX; Liu FQ; Gong Q; Zhou W; Zhu DH; Liang JB; Wang ZG; Jiang C,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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| AlGaAs/GaAs,InGaAs/GaAs体系光电子材料的MBE生长及相关性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1997
作者: 朱东海
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱东海; 范缇文; 梁基本; 徐波; 朱战萍; 龚谦; 江潮; 李含轩; 周伟; 王占国
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