SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共75条,第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  陆全勇;  张 伟;  王利军;  高 瑜;  尹 雯;  张全德;  刘万峰;  刘峰奇;  王占国
Adobe PDF(813Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1568/305  |  提交时间:2010/08/12
有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 4001
发明人:  张长沙;  王占国;  石明吉;  彭文博;  刘石勇;  肖海波;  廖显伯;  孔光临;  曾湘波
Adobe PDF(408Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1454/263  |  提交时间:2010/03/19
δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  魏鸿源;  刘祥林;  张攀峰;  焦春美;  王占国
Adobe PDF(413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1307/207  |  提交时间:2009/06/11
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
Adobe PDF(1046Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1252/138  |  提交时间:2009/06/11
一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1345/167  |  提交时间:2009/06/11
一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
Adobe PDF(681Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1084/178  |  提交时间:2009/06/11
以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1497/181  |  提交时间:2009/06/11
用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  尹志冈;  杨霏
Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1264/150  |  提交时间:2009/06/11
在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  张春玲;  崔草香;  徐波;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
Adobe PDF(467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1208/186  |  提交时间:2009/06/11
一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  刘祥林;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1301/165  |  提交时间:2009/06/11