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| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙
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| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙
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| 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 姜磊; 白云霞; 王莉
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| 气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄大定; 李建平; 高斐; 林燕霞; 孙殿照; 刘金平; 朱世荣; 孔梅影
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| 金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 隋少帅; 唐明英; 杨跃德; 肖金龙; 杜云; 黄永箴
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| 一种多边形-环硅基激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 隋少帅; 黄永箴; 唐明英; 杨跃德; 肖金龙; 杜云
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| 一种基于金属限制散热结构的硅基微腔激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 隋少帅; 唐明英; 杜云; 黄永箴
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