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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, JQ (Liu, J. Q.);  Wang, JF (Wang, J. F.);  Qiu, YX (Qiu, Y. X.);  Guo, X (Guo, X.);  Huang, K (Huang, K.);  Zhang, YM (Zhang, Y. M.);  Hu, XJ (Hu, X. J.);  Xu, Y (Xu, Y.);  Xu, K (Xu, K.);  Huang, XH (Huang, X. H.);  Yang, H (Yang, H.);  Xu, K, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215125, Peoples R China. 电子邮箱地址: kxu2006@sinano.ac.cn
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含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王青;  何国荣;  渠红伟;  韦欣;  宋国峰;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang PF (Zhang, P. F.);  Liu XL (Liu, X. L.);  Wei HY (Wei, H. Y.);  Fan HB (Fan, H. B.);  Liang ZM (Liang, Z. M.);  Jin P (Jin, P.);  Yang SY (Yang, S. Y.);  Jiao CM (Jiao, C. M.);  Zhu QS (Zhu, Q. S.);  Wang ZG (Wang, Z. G.);  Zhang, PF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangpanf@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, HY (Wei, H. Y.);  Cong, GW (Cong, G. W.);  Zhang, PF (Zhang, P. F.);  Hu, WG (Hu, W. G.);  Wu, JJ (Wu, J. J.);  Jiao, CM (Jiao, C. M.);  Liu, XL (Liu, X. L.);  Zhu, QS (Zhu, Q. S.);  Wang, ZG (Wang, Z. G.);  Wei, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: why@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L (Zhao L.);  Tu XG (Tu X. G.);  Zuo YH (Zuo Y. H.);  Chen SW (Chen S. W.);  Wang QM (Wang Q. M.);  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Elect Engn, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhaolei@mail.iee.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han Q (Han Q.);  Niu ZC (Niu Z. C.);  Peng LH (Peng L. H.);  Ni HQ (Ni H. Q.);  Yang XH (Yang X. H.);  Du Y (Du Y.);  Zhao H (Zhao H.);  Wu RH (Wu R. H.);  Wang QM (Wang Q. M.);  Han, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hanqin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, HP (Huang, H. P.);  Zhu, NH (Zhu, N. H.);  Hasen, QQG (Hasen, Q. Q. G.);  Liu, Y (Liu, Y.);  Wang, X (Wang, X.);  Pun, EYB (Pun, E. Y. B.);  Chung, PS (Chung, P. S.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS (Sun G. S.);  Liu XF (Liu X. F.);  Gong QC (Gong Q. C.);  Wang L (Wang L.);  Zhao WS (Zhao W. S.);  Li JY (Li J. Y.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Li JM (Li J. M.);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gshsun@red.semi.ac.cn
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Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Sun, GS (Sun, G. S.);  Liu, XF (Liu, X. F.);  Gong, QC (Gong, Q. C.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Li, JM (Li, J. M.);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
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4h-sic  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵谦;  潘教青;  张靖;  周帆;  王宝军;  王鲁峰;  边静;  安欣;  赵玲娟;  王圩
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