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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cao GH; Li LS; Guan M; Zhao J; Li YY; Zeng YP; Guan, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, guanmin@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李彦波 ; 刘超; 张杨; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵杰; 刘超; 李彦波; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun LL (Sun Lili); Liu C (Liu Chao); Li JM (Li Jianming); Wang JX (Wang Junxi); Yan FW (Yan Fawang); Zeng YP (Zeng Yiping); Li JM (Li Jinmin); Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lilisun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李彦波; 刘超; 张杨; 赵杰; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周文政; 代娴; 林铁; 商丽燕; 崔利杰; 曾一平; 褚君浩
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| 一种化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010162506.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 段瑞飞; 曾一平; 王军喜; 冉军学; 胡国新; 羊建坤; 梁勇; 路红喜; 李晋闽
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| 锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236705.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李彦波; 张杨; 曾一平
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| 一种对半导体材料进行霍尔测试的装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910244534.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李弋洋; 李成基; 曾一平
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| 一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237845.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙国胜; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 杨挺; 吴海雷; 闫果果; 曾一平; 李晋闽
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