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| 能引出低熔点金属离子的冷阴极潘宁离子源 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐嘉东; 李建明; 杨占坤
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| 使多个V形光伏器件组件连接的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李建明; 种明; 徐嘉东; 刘海涛; 边莉; 迟迅; 翟永辉
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| 改进砷化镓晶片表面质量的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李建明; 徐嘉东
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| 高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐晓华; 倪海桥; 牛智川; 贺正宏; 王建林
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| 制造半导体双极器件的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐嘉东; 李建明; 张秀兰
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| 提高半导体光电转换器件性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李建明; 种明; 杨丽卿; 徐嘉东; 胡传贤; 段晓峰; 高旻; 朱建成; 王凤莲
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| 一种多功能反射式磁光光谱测量系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010143096.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 朱科; 朱汇 ; 刘剑; 章昊; 徐萍; 李桂荣; 郑厚植
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| 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 魏萌; 王晓亮; 潘旭; 李建平; 刘宏新; 王翠梅; 肖红领
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| 在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010140985.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 陈涌海; 刘建庆; 高云; 徐波; 张兴旺; 王占国
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| 一种硅神经电极混合集成器件的制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人: 张旭; 韩建强; 刘鸣; 裴为华; 陈弘达
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