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氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
Inventors:  闫建昌;  王军喜;  张韵;  丛培沛;  孙莉莉;  董鹏;  田迎冬;  李晋闽
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一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-10
Inventors:  曾建平;  闫建昌;  王军喜;  丛培沛;  孙莉莉;  董鹏;  李晋闽
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具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
Inventors:  董鹏;  闫建昌;  王军喜;  孙莉莉;  曾建平;  丛培沛;  李晋闽
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一种具有高反射薄膜的紫外发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
Inventors:  曾建平;  闫建昌;  王军喜;  丛培沛;  孙莉莉;  董鹏;  李晋闽
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紫外共振腔发光二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
Inventors:  曾建平;  闫建昌;  王军喜;  丛培沛;  孙莉莉;  董鹏;  李晋闽
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利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
Inventors:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
Inventors:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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氮化物LED外延结构的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
Inventors:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15
Inventors:  李盼盼;  李鸿渐;  张逸韵;  李志聪;  梁萌;  李璟;  王国宏
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