SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法
李盼盼; 李鸿渐; 张逸韵; 李志聪; 梁萌; 李璟; 王国宏
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-08-15
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2012-04-25
申请号CN201210124792.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25297
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
李盼盼,李鸿渐,张逸韵,等. 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法.
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