SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
紫外共振腔发光二极管
曾建平; 闫建昌; 王军喜; 丛培沛; 孙莉莉; 董鹏; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-08-07
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2013-04-22
申请号CN201310141880.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25641
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
曾建平,闫建昌,王军喜,等. 紫外共振腔发光二极管.
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