SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法
闫建昌; 王军喜; 张韵; 丛培沛; 孙莉莉; 董鹏; 田迎冬; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-05-21
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2014-02-19
申请号CN201410056782.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25746
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
闫建昌,王军喜,张韵,等. 氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法.
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氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制(972KB) 限制开放使用许可请求全文
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