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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [14]
作者
刘俊岐 [3]
李成明 [2]
黎大兵 [1]
韩修训 [1]
陈涌海 [1]
文献类型
期刊论文 [8]
专利 [6]
发表日期
2005 [14]
语种
中文 [11]
英语 [3]
出处
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共14条,第1-10条
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
发表日期:2005
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65
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75
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85
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自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
吴洁君
;
黎大兵
;
陆沅
;
韩修训
;
李杰民
;
王晓辉
;
刘祥林
;
王占国
Adobe PDF(683Kb)
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浏览/下载:1607/185
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提交时间:2009/06/11
脊形波导量子级联激光器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
路秀真
;
常秀兰
;
胡颖
;
刘峰奇
;
王占国
Adobe PDF(265Kb)
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收藏
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浏览/下载:1012/148
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提交时间:2009/06/11
电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作工艺
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
路秀真
;
常秀兰
;
李成明
;
刘峰奇
;
王占国
Adobe PDF(286Kb)
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收藏
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浏览/下载:1151/169
  |  
提交时间:2009/06/11
在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陆沅
;
刘祥林
;
陆大成
;
王晓晖
;
王占国
Adobe PDF(461Kb)
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浏览/下载:1239/212
  |  
提交时间:2009/06/11
电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-07-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陆秀真
;
常秀兰
;
李成明
;
刘峰奇
;
王占国
Adobe PDF(312Kb)
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浏览/下载:1086/150
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提交时间:2009/06/11
真空镀膜机加热装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-07-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
路秀真
;
常秀兰
;
刘峰奇
;
王占国
Adobe PDF(255Kb)
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浏览/下载:1032/152
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JQ
;
Liu FQ
;
Lu XZ
;
Guo Y
;
Wang ZG
;
Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: fqliu@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1126/431
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, JQ
;
Liu, FQ
;
Lu, XZ
;
Guo, Y
;
Wang, ZG
;
Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1017/327
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu Junqi
;
Lu Xiuzhen
;
Guo Yu
;
Huang Xiuqi
;
Che Xiaoling
;
Lei Wen
;
Liu Fengqi
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浏览/下载:893/190
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
李宁
;
张国强
;
刘忠立
;
范楷
;
郑中山
;
林青
;
张正选
;
林成鲁
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浏览/下载:865/213
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提交时间:2010/11/23