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| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲 ; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
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| 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136534A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 梁德春; 李新坤; 金鹏; 王占国
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| 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102427108A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李新坤; 金鹏; 王占国
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| 一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 毛德丰; 李维; 王维颖; 金鹏; 王占国
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| 高In组分AlInN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 李维; 毛德丰; 王维颖; 金鹏; 王占国
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| 提高AlN外延薄膜荧光强度的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 王维颖; 毛德丰; 李维; 金鹏; 王占国
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| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 王翠梅; 王晓亮; 彭恩超; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人: 王晓亮; 王翠梅; 肖红领; 彭恩超; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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| 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13
发明人: 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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