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| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 采用损耗微调波导实现阵列波导光栅通道均匀性的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 安俊明; 李建光; 王红杰; 吴远大; 胡雄伟
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| 3dB耦合波导实现阵列波导光栅输出平坦化的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 安俊明; 李建光; 王红杰; 吴远大; 胡雄伟
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| 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘喆; 李晋闽; 王军喜; 王晓亮; 王启元; 刘宏新; 王俊; 曾一平
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| 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平
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| 直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人: 李晋闽; 曾一平; 惠峰; 卜俊鹏; 王文军; 郑红军; 孙红方
收藏 | 浏览/下载：2101/0 | 提交时间：2010/04/13
六英寸半绝缘砷化镓单晶 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李德尧; 张书明 ; 王建峰; 陈俊; 陈良惠; 种明; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 杨辉; 梁骏吾
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 仲莉; 王俊; 冯小明; 王勇刚; 王翠鸾; 韩琳; 崇锋; 刘素平; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 魏同波; 王军喜; 闫建昌; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马平; 魏同波; 段瑞飞; 王军喜; 李晋闽; 曾一平
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