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| 4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: 田丽欣
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| 锑化物高电子迁移率晶体管的材料与器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 李彦波
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李彦波 ; 刘超; 张杨; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵杰; 刘超; 李彦波; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Deng QW; Wang XL; Yang CB; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Hou QF; Bi Y; Li JM; Wang ZG; Hou X; Deng, QW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. daven@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun LL (Sun Lili); Liu C (Liu Chao); Li JM (Li Jianming); Wang JX (Wang Junxi); Yan FW (Yan Fawang); Zeng YP (Zeng Yiping); Li JM (Li Jinmin); Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lilisun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李彦波; 刘超; 张杨; 赵杰; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周文政; 代娴; 林铁; 商丽燕; 崔利杰; 曾一平; 褚君浩
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| 用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033960.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 胡国新; 王晓亮; 冉军学; 肖红领; 殷海波; 张露; 李晋闽
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| 一种化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010162506.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 段瑞飞; 曾一平; 王军喜; 冉军学; 胡国新; 羊建坤; 梁勇; 路红喜; 李晋闽
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