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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. Rong;  X. Q. Wang;  G. Chen;  X. T. Zheng;  P. Wang;  F. J. Xu;  Z. X. Qin;  N. Tang;  Y. H. Chen;  L. W. Sang;  M. Sumiya;  W. K. Ge;  B. Shen
Adobe PDF(1243Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：397/2  |  提交时间：2016/03/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan S, Qin Z, He C, Hou M, Wang X, Shen B, Li W, Wang W, Mao D, Jin P, Yan J, Dong P.
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掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  宋华平;  杨安丽;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  刘贵鹏;  刘长波;  谷承艳;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  赵桂娟;  汪连山;  杨少延;  刘贵鹏;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  王占国
Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：662/129  |  提交时间：2016/09/29