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| Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 袁海荣; 王占国 Adobe PDF(593Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1199/174  |  提交时间:2009/06/11 |
| 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩培德; 刘祥林; 王晓晖; 陆大成 Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1085/164  |  提交时间:2009/06/11 |
| 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陆大成; 王晓晖; 姚文卿; 刘祥林 Adobe PDF(1377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1004/119  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 袁海荣 Adobe PDF(842Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:911/117  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Chen Z; Lu DC; Wang XH; Liu XL; Yuan HR; Han PD; Wang D; Wang ZG; Li GH; Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. Adobe PDF(93Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1264/566  |  提交时间:2010/08/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yuan HR; Lu DC; Liu XL; Chen Z; Han P; Wang XH; Wang D; Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat & Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. Adobe PDF(274Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1013/254  |  提交时间:2010/08/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Lu Y; Liu XL; Lu DC; Yuan HR; Chen Z; Fan TW; Li YF; Han PD; Wang XH; Wang D; Wang ZG; Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1193/359  |  提交时间:2010/08/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 韩培德; 刘祥林; 袁海荣; 陈振; 李昱峰; 陆沅; 汪度; 陆大成; 王占国 Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:895/305  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 毛陆虹; 陈弘达; 吴荣汉; 唐君; 梁琨; 粘华; 郭维廉; 李树荣; 吴霞宛 Adobe PDF(334Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1069/374  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 胡桂青; 孔翔; 王乙潜; 万里; 段晓峰; 陆沅; 刘祥林 Adobe PDF(175Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1287/437  |  提交时间:2010/11/23 |