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| 磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周剑平; 陈诺夫; 张富强; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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作者: Lin ZL; Zheng XH; Wang Q; Zhou ML; Lin, ZL, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Ion Beam Lab, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: lzlsim@sina.com.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou JP; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Song SL; Chen NF; Lin LY; Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY; Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY; Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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作者: 林志浪; 郑新和; 王群; 周美玲
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作者: 周剑平; 陈诺夫; 宋书林; 柴春林; 杨少延 ; 刘志凯; 林兰英
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作者: 周大勇; 澜清; 孔云川; 苗振华; 封松林; 牛智川
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 柴春林; 杨少延; 刘志凯
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