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窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯文;  潘教青;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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一种新型键合用晶向对准装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈良惠;  郑婉华;  杨国华;  何国荣;  王玉平;  曹青;  郭良;  林学春
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光放大器电吸收调制器和模斑转换器的单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  侯廉平;  王圩;  朱洪亮;  周帆
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一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈良惠;  郑婉华;  杨国华;  何国荣;  王玉平;  曹青;  郭良;  林学春
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制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  潘教青;  赵谦;  王圩;  朱洪亮
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一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  冉军学;  李建平;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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聚光太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  白一鸣;  王晓晖;  梁平;  陆大成
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共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  王建林;  伊小燕;  马龙
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改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平
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对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  姜磊;  白云霞;  王莉
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