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气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄大定;  李建平;  高斐;  林燕霞;  孙殿照;  刘金平;  朱世荣;  孔梅影
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li C;  Huang CJ;  Cheng BW;  Zuo YH;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Li C,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li XQ;  Cen LX;  Huang GX;  Ma L;  Yan YJ;  Li XQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang CJ;  Zhu XP;  Li C;  Zuo YH;  Cheng BW;  Li DZ;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Huang CJ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄辉;  黄永清;  任晓敏;  高俊华;  罗丽萍;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  钟源;  潘钟;  李联合;  黄永清;  任晓敏
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang Li;  You Jianqiang;  Yan Xiaohong;  Wei Shihao
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