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采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  雷红兵;  王红杰;  胡雄伟;  邓晓清;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo LW;  Han YJ;  Hu CY;  Tan PH;  Yang FH;  Huang Q;  Zhou JM;  Guo LW,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Ctr Condensed Matter Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡桂青;  孔翔;  王乙潜;  万里;  段晓峰;  陆沅;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邓晓清;  杨沁清;  王红杰;  胡雄伟;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张秀兰;  张富强;  宋书林;  陈诺夫;  王占国;  胡文瑞;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈敦军;  毕朝霞;  沈波;  张开骁;  顾书林;  张荣;  施毅;  胡立群;  郑有(火+斗);  孙学浩;  万寿科;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邓晓清;  杨沁清;  王红杰;  胡雄伟;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林;  王占国;  胡文瑞;  林兰英
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