中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共35条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
气态束源炉瞬态开关控制真空装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  徐晓华;  徐应强;  张纬;  韩勤;  吴荣汉
Adobe PDF(469Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1290/206  |  提交时间：2009/06/11
半导体激光器腔面钝化的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘斌;  刘媛媛;  张敬明;  马骁宇
Adobe PDF(340Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1564/218  |  提交时间：2009/06/11
Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文
APOC 2003:ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS; MATERIALS, ACTIVE DEVICES, AND OPTICAL AMPLIFIERS, PTS 1 AND 2, 5280, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 04-06, 2003
作者:  Ying-Qiang X;  Zhang W;  Niu ZC;  Wu RG;  Wang QM;  Ying-Qiang X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(75Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1630/495  |  提交时间：2010/10/29
Ganas  Sio2 Encapsulation  Rapid-thermal-annealing  Nitrogen Reorganization  Molecular-beam Epitaxy  Optical-properties  Mu-m  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang L;  Lin T;  Wei X;  Wang GH;  Zhang GZ;  Zhang HB;  Ma XY;  Jiang, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(116Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1693/724  |  提交时间：2010/03/09
The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order 会议论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 338, Campos do Jordao, BRAZIL, AUG 25-29, 2003
作者:  Zhang S;  Liao X;  Xu Y;  Martins R;  Fortunato E;  Kong G;  Zhang S Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
Adobe PDF(484Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1327/340  |  提交时间：2010/11/15
Amorphous-silicon Films  Scattering  Absorption  Densities  Hydrogen  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, S;  Xu, Y;  Liao, X;  Martins, R;  Fortunato, E;  Hu, Z;  Kong, G;  Zhang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：835/213  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, GQ;  Zou, Q;  Sun, P;  Mei, X;  Ruda, HE;  Zou, Q, Energenius Inc, 351 Steelcase Rd W 3, Markham, ON, Canada. 电子邮箱地址: qzou@energenius.com
Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：731/277  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yi WB;  Zhang EX;  Chen M;  Li N;  Zhang GQ;  Liu ZL;  Wang X;  Yi, WB, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Ion Beam Lab, Shanghai 20050, Peoples R China.
Adobe PDF(192Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1015/358  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu TW;  Bo X;  Jun H;  Zhao FA;  Zhang CL;  Xie EQ;  Liu FQ;  Wang ZG;  Zhu, TW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semiconductor Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhutw@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：773/204  |  提交时间：2010/03/09
共振隧穿二极管的材料生长、结构设计及器件性能的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  张晓昕
Adobe PDF(1863Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：586/22  |  提交时间：2009/04/13