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1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  封松林;  杨富华;  王晓东;  汪辉;  李树英;  苗振华;  李树深
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Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:  Zhao YW;  Sun NF;  Dong HW;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Sun TN;  Lin LY;  Sun NF Hebei Semicond Res Inst POB 179-40 Shijiazhuang 050002 Hebei Peoples R China.
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Indium Phosphide  Semi-insulating  Annealing  Picts  Photoluminescence  Semiinsulating Inp  Indium-phosphide  Fe  Photoluminescence  Temperature  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Lu HP;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Ctr Mat Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Zhang YH;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Sun NF;  Dong HW;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Sun TN;  Lin LY;  Sun NF,Hebei Semicond Res Inst,POB 179-40,Shijiazhuang 050002,Hebei,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Dong HW;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Zhao YW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Dong HW;  Chen YH;  Zhang YH;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Fung S;  Zhao YW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  董宏伟;  赵有文;  焦景华;  赵建群;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Youwen;  Dong Hongwei;  Jiao Jinghua;  Zhao Jianqun;  Lin Lanying;  Sun Niefeng;  Sun Tongnian
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王东辉;  施映;  林雨
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