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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, Chuqiao;   Li, La;   Shen, Guozhen
Adobe PDF(2009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2022/05/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sheng-Wen Xie ;   Yu Zhang ;   Cheng-Ao Yang ;   Shu-Shan Huang ;   Ye Yuan ;   Yi Zhang ;   Jin-Ming Shang ;   Fu-Hui Shao ;   Ying-Qiang Xu ;   Hai-Qiao Ni ;   Zhi-Chuan Niu
Adobe PDF(377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2020/07/30
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, XF;  Liu, B;  Xiang, QY;  Wang, QF;  Hou, XJ;  Chen, D;  Shen, GZ
Adobe PDF(1168Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：370/73  |  提交时间：2015/05/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, QF;  Xu, J;  Wang, XF;  Liu, B;  Hou, XJ;  Yu, G;  Wang, P;  Chen, D;  Shen, GZ
Adobe PDF(1279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：998/218  |  提交时间：2015/05/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王博;  赵有文;  董志远;  邓爱红;  苗杉杉;  杨俊
Adobe PDF(354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：840/197  |  提交时间：2010/11/23
Annealing ambient controlled deep defect formation in InP 会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:  Zhao YW;  Dong ZY;  Duan ML;  Sun WR;  Zeng YP;  Sun NF;  Sun TN;  Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
Adobe PDF(186Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1414/301  |  提交时间：2010/10/29
Fe-doped Inp  Semiinsulating Inp  Point-defects  Pressure  Wafers  Traps  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Duan, ML;  Sun, WR;  Zeng, YP;  Sun, NF;  Sun, TN;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
Adobe PDF(155Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：835/216  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng AH;  Mascher P;  Zhao YW;  Lin LY;  Deng AH,Sichuan Univ,Dept Appl Phys,Sichuan 610065,Peoples R China.
Adobe PDF(46Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：921/298  |  提交时间：2010/08/12
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:  Zhao YW;  Sun NF;  Dong HW;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Sun TN;  Lin LY;  Sun NF Hebei Semicond Res Inst POB 179-40 Shijiazhuang 050002 Hebei Peoples R China.
Adobe PDF(179Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1582/289  |  提交时间：2010/11/15
Indium Phosphide  Semi-insulating  Annealing  Picts  Photoluminescence  Semiinsulating Inp  Indium-phosphide  Fe  Photoluminescence  Temperature  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Sun NF;  Dong HW;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Sun TN;  Lin LY;  Sun NF,Hebei Semicond Res Inst,POB 179-40,Shijiazhuang 050002,Hebei,Peoples R China.
Adobe PDF(179Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1434/385  |  提交时间：2010/08/12