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半导体激光器安装对准和校准的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵玲娟;  边静;  王圩;  朱洪亮
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高速电吸收调制器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡小华;  王宝军;  王圩;  朱洪亮
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无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔利杰;  曾一平;  王保强;  朱战平
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半导体光电子器件和混合楔型波导模斑转换器集成器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  邱伟彬;  王圩
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同一源区半导体光放大器、电吸收调制器集成器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  邱伟彬;  王圩
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偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器两用器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-01-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  邱伟彬;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao FA;  Chen YH;  Ye XL;  Jin P;  Xu B;  Wang ZG;  Zhang CL;  Zhao, FA, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaofa@red.semi.ac.cn
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Controlled growth of III-V compound semiconductor nano-structures and their application in quantum-devices 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH;  Jin P;  Ye XL;  Liu HY;  Zhang ZY;  Shi GX;  Zhang CL;  Wang YL;  Liu FQ;  Xu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Dots  
Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy 会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Zeng YP;  Wang ZG;  Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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Short-period Superlattices  Raman-scattering  Quantum-wells  Growth  Roughness  Segregation  Alas/gaas  Alas  Gaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Li JC;  Zhou H;  Wang H;  Wang B;  Yan H;  Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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