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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
半导体集成技术工程... [10]
作者
刘雯 [2]
文献类型
专利 [5]
期刊论文 [5]
发表日期
2014 [3]
2012 [1]
2010 [1]
语种
英语 [5]
中文 [3]
出处
CHINESE PH... [1]
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JOURNAL OF... [1]
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资助项目
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专题:半导体集成技术工程研究中心
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80
85
90
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期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yen, WC
;
Medina, H
;
Huang, JS
;
Lai, CC
;
Shih, YC
;
Lin, SM
;
Li, JG
;
Wang, ZMM
;
Chueh, YL
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浏览/下载:596/170
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huang, JS
;
Yen, WC
;
Lin, SM
;
Lee, CY
;
Wu, J
;
Wang, ZM
;
Chin, TS
;
Chueh, YL
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浏览/下载:506/86
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提交时间:2015/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Pan, SH
;
Medina, H
;
Wang, SB
;
Chou, LJ
;
Wang, ZMM
;
Chen, KH
;
Chen, LC
;
Chueh, YL
Adobe PDF(1192Kb)
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浏览/下载:430/74
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu XN (Xu Xiao-Na)
;
Wang XD (Wang Xiao-Dong)
;
Li YQ (Li Yue-Qiang)
;
Chen YL (Chen Yan-Ling)
;
Ji A (Ji An)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
;
Yang FH (Yang Fu-Hua)
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浏览/下载:916/277
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提交时间:2013/04/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li YQ (Li Yueqiang)
;
Wang XD (Wang Xiaodong)
;
Xu XN (Xu Xiaona)
;
Liu W (Liu Wen)
;
Chen YL (Chen Yanling)
;
Yang FH (Yang Fuhua)
;
Tan PH (Tan Pingheng)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li, YQ, Chinese AcadSci, InstSemicond, Engn Res CtrSemicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xdwang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1302/397
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提交时间:2010/11/14
高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
李越强
;
刘雯
;
王晓东
;
陈燕玲
;
杨富华
Adobe PDF(456Kb)
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浏览/下载:1269/236
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提交时间:2011/08/31
对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
刘雯
;
李越强
;
王晓东
;
陈燕凌
;
杨富华
Adobe PDF(588Kb)
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浏览/下载:1610/277
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提交时间:2011/08/31
一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136492A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-27, 2012-09-07
发明人:
李越强
;
王晓东
;
徐晓娜
;
刘雯
;
陈燕玲
;
杨富华
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浏览/下载:1566/357
  |  
提交时间:2012/09/07
基于锥形衬底的相变存储器的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:
付英春
;
马刘红
;
杨富华
;
王晓峰
;
周亚玲
;
杨香
;
王晓东
Adobe PDF(523Kb)
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浏览/下载:386/3
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提交时间:2016/09/12
基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
周亚玲
;
付英春
;
王晓峰
;
王晓东
;
杨富华
Adobe PDF(644Kb)
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浏览/下载:467/4
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提交时间:2016/09/22