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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yen, WC;  Medina, H;  Huang, JS;  Lai, CC;  Shih, YC;  Lin, SM;  Li, JG;  Wang, ZMM;  Chueh, YL
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, JS;  Yen, WC;  Lin, SM;  Lee, CY;  Wu, J;  Wang, ZM;  Chin, TS;  Chueh, YL
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan, SH;  Medina, H;  Wang, SB;  Chou, LJ;  Wang, ZMM;  Chen, KH;  Chen, LC;  Chueh, YL
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XN (Xu Xiao-Na);  Wang XD (Wang Xiao-Dong);  Li YQ (Li Yue-Qiang);  Chen YL (Chen Yan-Ling);  Ji A (Ji An);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Yang FH (Yang Fu-Hua)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YQ (Li Yueqiang);  Wang XD (Wang Xiaodong);  Xu XN (Xu Xiaona);  Liu W (Liu Wen);  Chen YL (Chen Yanling);  Yang FH (Yang Fuhua);  Tan PH (Tan Pingheng);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li, YQ, Chinese AcadSci, InstSemicond, Engn Res CtrSemicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xdwang@semi.ac.cn
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高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕玲;  杨富华
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对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘雯;  李越强;  王晓东;  陈燕凌;  杨富华
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一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136492A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-27, 2012-09-07
发明人:  李越强;  王晓东;  徐晓娜;  刘雯;  陈燕玲;  杨富华
Adobe PDF(572Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1566/357  |  提交时间:2012/09/07
基于锥形衬底的相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  付英春;  马刘红;  杨富华;  王晓峰;  周亚玲;  杨香;  王晓东
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基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  周亚玲;  付英春;  王晓峰;  王晓东;  杨富华
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